芯片簡(jiǎn)介

AT45DB041E 是一款最低電壓為 1.65 V 的串行接口順序訪問(wèn)閃存，非常適合各種數(shù)字語(yǔ)音、圖像、程序代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用。
它非常適合各種數(shù)字語(yǔ)音、圖像、程序代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用。AT45DB041E 還支持
RapidS 串行接口，適用于需要極高速運(yùn)行的應(yīng)用。它的 4,194,304 位內(nèi)存被組織成 2,048 頁(yè)內(nèi)存頁(yè)。
每頁(yè) 256 字節(jié)或 264 字節(jié)。除主存儲(chǔ)器外，AT45DB041E 還包含兩個(gè) 256 字節(jié)的 SRAM 緩沖器。
還包含兩個(gè) SRAM 緩沖器，每個(gè) 256/264 字節(jié)。緩沖器允許在對(duì)主存儲(chǔ)器的頁(yè)面進(jìn)行重新編程時(shí)接收數(shù)據(jù)。
在對(duì)主存儲(chǔ)器的頁(yè)面進(jìn)行重新編程時(shí)接收數(shù)據(jù)。兩個(gè)緩沖器之間的交錯(cuò)可顯著提高系統(tǒng)寫入連續(xù)數(shù)據(jù)流的能力。
寫入連續(xù)數(shù)據(jù)流的能力。此外，SRAM 緩沖器還可用作額外的系統(tǒng)刮擦墊存儲(chǔ)器、
此外，SRAM 緩沖器還可用作額外的系統(tǒng)刮擦墊存儲(chǔ)器，并可通過(guò)自帶的讀取-修改-寫入三步操作輕松處理 E2PROM 仿真（位或字節(jié)可更改性）。與使用多條地址線和并行接口隨機(jī)存取的傳統(tǒng)閃存不同，DataFlash
不同，DataFlash® 使用串行接口順序訪問(wèn)數(shù)據(jù)。簡(jiǎn)單的順序訪問(wèn)極大地減少了有源引腳數(shù)，簡(jiǎn)化了硬件布局，提高了系統(tǒng)可靠性，最大限度地降低了開(kāi)關(guān)噪聲，并縮小了封裝尺寸。
開(kāi)關(guān)噪聲，并減小封裝尺寸。該器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適用于許多商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用。這些應(yīng)用對(duì)高密度、低引腳數(shù)、低電壓和低功耗要求極高。
為了實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的系統(tǒng)內(nèi)重新編程，AT45DB041E 在編程時(shí)不需要高輸入電壓。編程。該器件使用 1.65 V 至 3.6 V 單電源進(jìn)行擦除、編程和讀取操作。AT45DB041E 通過(guò)芯片選擇引腳 (CS) 啟用，并通過(guò)一個(gè)由串行輸入 (CS) 和串行輸出 (CS) 組成的三線接口進(jìn)行訪問(wèn)。由串行輸入 (SI)、串行輸出 (SO) 和串行時(shí)鐘 (SCK) 組成。
所有編程和擦除周期都是自定時(shí)的。
 

引腳配置和布局

 

 

功能框圖

芯片特點(diǎn)

1.65 V - 3.6 V 單電源供電
? 兼容串行外設(shè)接口 (SPI)
- 支持 SPI 模式 0 和 3
- 支持 RapidS™ 操作
? 可連續(xù)讀取整個(gè)陣列
- 高達(dá) 85 MHz
- 低功耗讀取選項(xiàng)，高達(dá) 15 MHz
- 時(shí)鐘到輸出時(shí)間 (tV) 最大為 6 毫微秒
? 用戶可配置頁(yè)面大小
- 每頁(yè) 256 字節(jié)
- 每頁(yè) 264 字節(jié)（默認(rèn)）
- 頁(yè)大小可在出廠前配置為 256 字節(jié)
? 兩個(gè)完全獨(dú)立的 SRAM 數(shù)據(jù)緩沖器（256/264 字節(jié)）
- 允許在對(duì)主內(nèi)存陣列重新編程的同時(shí)接收數(shù)據(jù)
? 靈活的編程選項(xiàng)
- 字節(jié)/頁(yè)面編程（1 至 256/264 字節(jié)）直接輸入主存儲(chǔ)器
- 緩沖區(qū)寫入
- 緩沖區(qū)到主存儲(chǔ)器 頁(yè)程序
? 靈活的擦除選項(xiàng)
- 頁(yè)擦除（256/264 字節(jié)）
- 塊擦除（2 kB）
- 扇區(qū)擦除（64 kB）
- 芯片擦除（4 Mbits）
? 程序和擦除暫停/恢復(fù)
? 高級(jí)硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)功能
- 單個(gè)扇區(qū)保護(hù)
- 單個(gè)扇區(qū)鎖定，使任何扇區(qū)永久只讀
? 128 字節(jié)、一次性可編程 (OTP) 安全寄存器
- 64 字節(jié)出廠時(shí)已編程的唯一標(biāo)識(shí)符
- 64 字節(jié)用戶可編程
? 硬件和軟件控制復(fù)位選項(xiàng)
? JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)制造商和器件 ID 讀取
? 低功耗耗散
- 400 nA 超深度掉電電流（典型值）
- 3 μA 深度掉電電流（典型值）
- 25 μA 待機(jī)電流（典型值）
- 7mA 有效讀取電流（典型值 @ 15 MHz))
? 耐用性：每頁(yè)至少 100,000 次編程/擦除循環(huán)
 
 

芯片封裝

 
8S1 - 8 引線 JEDEC SOIC