P55NF06 MOSFET概覽
P55NF06 是一種 N 溝道功率 mosfet 晶體管,通常用于電子電路中以控制電流。它的額定電壓為 60V,額定電流為 55A。該 MOSFET 廣泛用于穩(wěn)壓器、電源管理電路、逆變器和電機(jī)控制電路等各種應(yīng)用中。
特征
- 低柵極電荷
- 切換速度快
- 低輸入電容
- 優(yōu)異的熱性能
- N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
- 專為大電流、高速開關(guān)而設(shè)計(jì)
- 多封裝:TO-220、D²PAK、TO-220FP
引腳配置
No. | 引腳名稱 | 描述 |
Pin 1 | Gate | 柵極 - 該引腳用于控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。通過向柵極施加電壓,可以打開或關(guān)閉 MOSFET。 |
Pin 2 | Drain | 漏極 - 此引腳連接到您要使用 MOSFET 切換或控制的負(fù)載或電路。當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí),電流可以從源極流向漏極。 |
Pin 3 | Source | 源極 - 此引腳連接到電源的接地端或負(fù)端。當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí),電流可以從源極流向漏極。 |
技術(shù)規(guī)格
型號(hào) | STP55NF06 |
晶體管類型 | N 溝道 |
Vds - 漏源擊穿電壓 | 60伏 |
Id - Tc = 25 °C 時(shí)的連續(xù)最大漏極電流 | 50 安 |
Rds On - 漏源導(dǎo)通電阻 | 15毫歐 |
Vgs - 柵源電壓 | 20伏 |
Vgs th - 柵源閾值電壓 | 3伏 |
Idm - 脈沖漏極電流 | 200安 |
Qg - 總柵極電荷 | 44.5 納米 |
工作結(jié)溫 | -55℃ - +175℃ |
Pd - 功耗 | 30瓦 |
P55NF06 MOSFET的工作原理
P55NF06 MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
優(yōu)點(diǎn) | 缺點(diǎn) |
高載流能力 | 高導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) |
低柵極電荷和電容 | 高開關(guān)損耗 |
低輸入電容可實(shí)現(xiàn)更快的切換 | 大電流應(yīng)用可能需要散熱器 |
低柵極閾值電壓更容易驅(qū)動(dòng) | 與其他 MOSFET 相比成本相對(duì)較高 |
值得注意的是,MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)會(huì)因具體應(yīng)用和使用它的電路的要求而異。因此,在決定是否使用之前,仔細(xì)考慮 P55NF06 MOSFET 的特性并將它們與預(yù)期應(yīng)用的要求進(jìn)行比較非常重要。
P55NF06 MOSFET 等效替代品
110N10、50N06、65N06、75N06、80N06、BR75N75、BR80N75、BUK7509-75A、CS4145、IRF1405、IRF2807、IRF3205、IRF3256、IRF4410A、IRFB3207、IRFB4710、IRFB7440、IRFB7740
P55NF06 MOSFET 開發(fā)方案
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