耐斯迪科技芯片解密服務(wù)中心專業(yè)承接EPM570Z芯片解密項(xiàng)目合作，依靠我們成熟的現(xiàn)成解密方案，豐富的實(shí)際解密經(jīng)驗(yàn)以及對(duì)于解密過程的嚴(yán)格技術(shù)控制，針對(duì)客戶的具體解密需求，我們能夠最大限度確保解密的成功率和可靠性，且可最大限度降低解密周期及解密成本，為客戶的總體項(xiàng)目開發(fā)提供最值得信賴的技術(shù)支持。目前，我們不僅在簡(jiǎn)單單片機(jī)解密領(lǐng)域技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟，而且對(duì)多個(gè)疑難解密項(xiàng)目也已取得突破性進(jìn)展，可以為客戶提供高效可靠的IC解密服務(wù)。

　　EPM570Z  特性

　　· 低成本，低功耗CPLD

　　· 非易失性建筑

　　· 待機(jī)高達(dá)29μA電流低

　　· 提供快速傳播延遲和時(shí)鐘到輸出時(shí)間

　　· 每邏輯陣列模塊（LAB）提供四個(gè)全局時(shí)鐘

　　· 多達(dá)8塊的UFM Kbits的非易失性存儲(chǔ)

　　· 核心的MultiVolt有利的外部電源電壓為3.3 V/2.5V或1.8 V

　　· MultiVolt I / O接口，支持3.3V，2.5V，1.8 V和1.5 V邏輯電平

　　· 友好的架構(gòu)，包括可編程擺率，驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，bushold，和可編程的上拉電阻

　　· 施密特觸發(fā)器使噪聲容限輸入（每個(gè)引腳可編程）

　　· I / O是完全符合外圍組件互連特別的PCI本地總線規(guī)范為3.3- V的在66兆赫操作

　　· 支持熱插拔

　　· 內(nèi)置聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)組（JTAG）邊界掃描測(cè)試電路符合IEEE標(biāo)準(zhǔn)。

　　· ISP的電路與IEEE標(biāo)準(zhǔn)兼容。

　　以上是我們針對(duì)EPM570Z單片機(jī)的主要特征進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹，供廣大客戶及其他http://feishiyang.cn工程師在解密項(xiàng)目合作及芯片技術(shù)應(yīng)用中參考借鑒。如果客戶有EPM570Z單片機(jī)解密以及其他IC解密需求，請(qǐng)與耐斯迪科技聯(lián)系咨詢更多合作詳情