芯片失效分析
Decap芯片開封        去除ic封膠, 同時保持芯片功能的完整無損, 保持die, bond pads, bond wires乃至leadframe 不受損傷, 為下一步芯片失效分析試驗做準備。

                            




EMMI(Emission Microscope)         EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分析工具, 其高靈敏度的偵測能力可偵測和定位電流通過組件時所發(fā)射出來的微弱光,由此可偵測各種元件缺陷所產(chǎn)生的漏電流可見光, 對應(yīng)故障種類涵蓋ESD, Latch up, junction leakage, hot electrons , oxide current leakage等等。   

       Latch-up之Emmi圖片   Esd Damage 之Emmi圖片          Probe探針測試                          Obirch(雷射光束誘發(fā)阻抗值變化)測試       OBIRCH原理:       用激光束在器件表面掃描,激光束的部分能量轉(zhuǎn)化為熱量。如果互連線中存在缺陷或者空洞,這些區(qū)域附近的熱量傳導(dǎo)不同于其他的完整區(qū)域,將引起局部溫度變化,從而引起電阻值改變ΔR,如果對互連線施加恒定電壓,則表現(xiàn)為電流變化ΔI=(ΔR/V)I2,通過此關(guān)系,將熱引起的電阻變化和電流變化聯(lián)系起來。將電流變化的大小與所成像的像素亮度對應(yīng),像素的位置和電流發(fā)生變化時激光掃描到的位置相對應(yīng)。這樣,就可以產(chǎn)生OBIRCH像來定位缺陷。          OBIRCH原理圖   Obirch漏電路徑分析          OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析, 線路漏電路徑分析. 利用OBIRCH方法,可以有效地對電路中缺陷定位,如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等;也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補充。