IS42/45S16100F和IS42VS16100F性能比較及芯片解密

來(lái)源：IC解密等ISSI芯片破解技術(shù)研究已經(jīng)率先取得突破，為芯片解密行業(yè)又解決了一大技術(shù)難題。為方便客戶對(duì)這三款不同芯片解密進(jìn)行技術(shù)理解與解密技術(shù)實(shí)現(xiàn)的分析，方便工程師更好的對(duì)這三者解密程序以及芯片本身的特性及應(yīng)用進(jìn)行了解，我們提供IS42S16100F，IS45S16100F和IS42VS16100F芯片的技術(shù)資料比較，供大家做技術(shù)參考。
芯片概述
IS42S16100F，IS45S16100F和IS42VS16100F是組織結(jié)構(gòu)為524,288字×16位×2-bank同步高性能的16Mb DRAM。同步DRAM實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸使用的管線架構(gòu)。所有輸入和輸出信號(hào)的參考時(shí)鐘輸入上升沿。
芯片特性
·時(shí)鐘頻率：
- IS42/45S16100F：200，166，143 MHz
- IS42VS16100F：133，100 MHz
·完全同步，引用的所有信號(hào)到時(shí)鐘上升沿
·兩個(gè)扇區(qū)可以同時(shí)，同步獨(dú)立運(yùn)行
·A11控制的雙內(nèi)部扇區(qū)（扇區(qū)選擇）
·單電源供電：
- IS42/45S16100F：VDD / VDDQ= 3.3V
- IS42VS16100F：VDD / VDDQ= 1.8V
·LVTTL接口
·可編程的突發(fā)長(zhǎng)度
- （1，2，4，8，全頁(yè)）
·可編程突發(fā)序列：循序/交錯(cuò)
·2048刷新周期/32ms
·隨機(jī)列地址每時(shí)鐘周期
·可編程/CAS延時(shí)（2～3個(gè)時(shí)鐘）
·突發(fā)讀/寫(xiě)和突發(fā)讀/單一寫(xiě)操作能力
·突發(fā)爆裂型終止和預(yù)充電命令
·LDQM和UDQM控制字節(jié)
·封裝類型：400-mil 50引腳TSOP-II和60球BGA封裝
·無(wú)鉛封裝選項(xiàng)
·工業(yè)級(jí)溫度等級(jí)
針對(duì)IS42S16100F，IS45S16100F和IS42VS16100F這三款芯片，我們解密工程師已進(jìn)行了研究，摸清了其解密技術(shù)要領(lǐng)，可針對(duì)此三款I(lǐng)SSI疑難單片機(jī)進(jìn)行實(shí)效高速的破解技術(shù)合作服務(wù)，歡迎需求客戶與我們聯(lián)系。