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一、EMI的產(chǎn)生及抑制原理
EMI的產(chǎn)生是由于電磁干擾源通過(guò)耦合路徑將能量傳遞給敏感系統(tǒng)造成的。它包括經(jīng)由導(dǎo)線(xiàn)或公共地線(xiàn)的傳導(dǎo)、通過(guò)空間輻射或通過(guò)近場(chǎng)耦合三種基本形式。EMI的危害表現(xiàn)為降低傳輸信號(hào)質(zhì)量，對(duì)電路或設(shè)備造成干擾甚至破壞，使設(shè)備不能滿(mǎn)足電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)要求。
為抑制EMI，數(shù)字電路的EMI設(shè)計(jì)應(yīng)按下列原則進(jìn)行：
●根據(jù)相關(guān)EMC/EMI技術(shù)規(guī)范,將指標(biāo)分解到單板電路,分級(jí)控制。
●從EMI的三要素即干擾源、能量耦合途徑和敏感系統(tǒng)這三個(gè)方面來(lái)控制，使電路有平坦的頻響，保證電路正常、穩(wěn)定工作。
●從設(shè)備前端設(shè)計(jì)入手,關(guān)注EMC/EMI設(shè)計(jì),降低設(shè)計(jì)成本。
二、數(shù)字電路PCB的 EMI控制技術(shù)
在處理各種形式的EMI時(shí)，必須具體問(wèn)題具體分析。在數(shù)字電路的PCB設(shè)計(jì)中，可以從下列幾個(gè)方面進(jìn)行EMI控制。
1．器件選型
在進(jìn)行EMI設(shè)計(jì)時(shí)，首先要考慮選用器件的速率。任何電路，如果把上升時(shí)間為5ns的器件換成上升時(shí)間為2.5ns的器件，EMI會(huì)提高約4倍。EMI的輻射強(qiáng)度與頻率的平方成正比，最高EMI頻率（fknee）也稱(chēng)為EMI發(fā)射帶寬，它是信號(hào)上升時(shí)間而不是信號(hào)頻率的函數(shù)：fknee =0.35/Tr (其中Tr為器件的信號(hào)上升時(shí)間)
這種輻射型EMI的頻率范圍為30MHz到幾個(gè)GHz，在這個(gè)頻段上，波長(zhǎng)很短，電路板上即使非常短的布線(xiàn)也可能成為發(fā)射天線(xiàn)。當(dāng)EMI較高時(shí),電路容易喪失正常的功能。因此,在器件選型上，在保證電路性能要求的前提下,應(yīng)盡量使用低速芯片，采用合適的驅(qū)動(dòng)/接收電路。另外，由于器件的引線(xiàn)管腳都具有寄生電感和寄生電容，因此在高速設(shè)計(jì)中，器件封裝形式對(duì)信號(hào)的影響也是不可忽視的，因?yàn)樗彩钱a(chǎn)生EMI輻射的重要因素。一般地,貼片器件的寄生參數(shù)小于插裝器件，BGA封裝的寄生參數(shù)小于QFP封裝。
2．連接器的選擇與信號(hào)端子定義
連接器是高速信號(hào)傳輸?shù)年P(guān)鍵環(huán)節(jié),也是易產(chǎn)生EMI的薄弱環(huán)節(jié)。在連接器的端子設(shè)計(jì)上可多安排地針,減小信號(hào)與地的間距,減小連接器中產(chǎn)生輻射的有效信號(hào)環(huán)路面積,提供低阻抗回流通路。必要時(shí),要考慮將一些關(guān)鍵信號(hào)用地針隔離。
3．疊層設(shè)計(jì)
在成本許可的前提下，增加地線(xiàn)層數(shù)量，將信號(hào)層緊鄰地平面層可以減少EMI輻射。對(duì)于高速PCB，電源層和地線(xiàn)層緊鄰耦合，可降低電源阻抗，從而降低EMI。
4．布局
根據(jù)信號(hào)電流流向，進(jìn)行合理的布局，可減小信號(hào)間的干擾。合理布局是控制EMI的關(guān)鍵。布局的基本原則是：
●模擬信號(hào)易受數(shù)字信號(hào)的干擾,模擬電路應(yīng)與數(shù)字電路隔開(kāi)；
●時(shí)鐘線(xiàn)是主要的干擾和輻射源,要遠(yuǎn)離敏感電路,并使時(shí)鐘走線(xiàn)最短；
●大電流、大功耗電路盡量避免布置在板中心區(qū)域，同時(shí)應(yīng)考慮散熱和輻射的影響；
●連接器盡量安排在板的一邊，并遠(yuǎn)離高頻電路；
●輸入/輸出電路靠近相應(yīng)連接器,去耦電容靠近相應(yīng)電源管腳；
●充分考慮布局對(duì)電源分割的可行性，多電源器件要跨在電源分割區(qū)域邊界布放，以有效降低平面分割對(duì)EMI的影響；
●回流平面（路徑）不分割。
5．布線(xiàn)
●阻抗控制:高速信號(hào)線(xiàn)會(huì)呈現(xiàn)傳輸線(xiàn)的特性,需要進(jìn)行阻抗控制，以避免信號(hào)的反射、過(guò)沖和振鈴，降低EMI輻射。
●將信號(hào)進(jìn)行分類(lèi)，按照不同信號(hào)（模擬信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、I/O信號(hào)、總線(xiàn)、電源等）的EMI輻射強(qiáng)度及敏感程度，使干擾源與敏感系統(tǒng)盡可能分離，減小耦合。
●嚴(yán)格控制時(shí)鐘信號(hào)(特別是高速時(shí)鐘信號(hào))的走線(xiàn)長(zhǎng)度、過(guò)孔數(shù)、跨分割區(qū)、端接、布線(xiàn)層、回流路徑等。
●信號(hào)環(huán)路，即信號(hào)流出至信號(hào)流入形成的回路，是PCB設(shè)計(jì)中EMI控制的關(guān)鍵，在布線(xiàn)時(shí)必須加以控制。要了解每一關(guān)鍵信號(hào)的流向，對(duì)于關(guān)鍵信號(hào)要靠近回流路徑布線(xiàn),確保其環(huán)路面積最小
對(duì)低頻信號(hào),要使電流流經(jīng)電阻最小的路徑；對(duì)高頻信號(hào),要使高頻電流流經(jīng)電感最小的路徑,而非電阻最小的路徑(見(jiàn)圖1)。對(duì)于差模輻射,EMI輻射強(qiáng)度(E)正比于電流、電流環(huán)路的面積以及頻率的平方。(其中I是電流、A是環(huán)路面積、f是頻率、r是到環(huán)路中心的距離,k為常數(shù)。)
因此當(dāng)最小電感回流路徑恰好在信號(hào)導(dǎo)線(xiàn)下面時(shí),可以減小電流環(huán)路面積,從而減少EMI輻射能量。
●關(guān)鍵信號(hào)不得跨越分割區(qū)域。
●高速差分信號(hào)走線(xiàn)盡可能采用緊耦合方式。
●確保帶狀線(xiàn)、微帶線(xiàn)及其參考平面符合要求。
●去耦電容的引出線(xiàn)應(yīng)短而寬。
●所有信號(hào)走線(xiàn)應(yīng)盡量遠(yuǎn)離板邊緣。
●對(duì)于多點(diǎn)連接網(wǎng)絡(luò)，選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以減小信 號(hào)反射，降低EMI輻射。
6．電源平面的分割處理
●電源層的分割
在一個(gè)主電源平面上有一個(gè)或多個(gè)子電源時(shí),要保證各電源區(qū)域的連貫性及足夠的銅箔寬度。分割線(xiàn)不必太寬,一般為20～50mil線(xiàn)寬即可,以減少縫隙輻射。
●地線(xiàn)層的分割
地平面層應(yīng)保持完整性,避免分割。若必須分割，要區(qū)分?jǐn)?shù)字地、模擬地和噪聲地,并在出口處通過(guò)一個(gè)公共接地點(diǎn)與外部地相連。
為了減小電源的邊緣輻射,電源/地平面應(yīng)遵循20H設(shè)計(jì)原則，即地平面尺寸比電源平面尺寸大20H（見(jiàn)圖2），這樣邊緣場(chǎng)輻射強(qiáng)度可下降70% 。