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GAL6001芯片簡介：
　　有10個可編程的GAL6001輸出邏輯宏單元（OLMC）和8個可編程邏輯宏單元埋（BLMC）。此外，有10個輸入邏輯宏單元（ILMC）和10個I / O邏輯宏單元（IOLMC）。兩個時鐘輸入用于輸入和輸出宏單元的獨立控制。
　　先進的功能，簡化程序，減少測試時間，再加上E2CMOS重新編程的細胞，使生產(chǎn)過程中100％的交流，直流，可編程性和功能各GAL6001測試。因此，萊迪思半導體公司提供100％的現(xiàn)場可編程性和所有的GAL產(chǎn)品的功能。此外，100擦除/寫周期為20年以上和數(shù)據(jù)保留的規(guī)定。
　　GAL6001特點
　　高性能E2CMOS？技術(shù)
　　- 30ns最大傳輸延遲
　　- 27MHz的最大頻率
　　- 12ns最大時鐘到輸出延遲
　　- TTL兼容為16mA輸出
　　- UltraMOS？先進的CMOS技術(shù)
　　低功耗CMOS
　　- 90mA的典型電流Icc
　　E2的電池技術(shù)
　　- 可重構(gòu)邏輯
　　- 細胞重新編程
　　- 100％Tested/100％的產(chǎn)率
　　- 高速電擦除“（<100毫秒）
　　- 20年的數(shù)據(jù)保存
　　前所未有的功能密度
　　- 78 × 64 × 36 FPLA建筑
　　- 10輸出邏輯宏單元
　　- 8埋邏輯宏單元
　　- 20輸入和I / O邏輯宏單元
　　高層次設計靈活性
　　- 異步或同步時鐘
　　- 獨立的狀態(tài)寄存器和輸入時鐘引腳
　　- 功能超集現(xiàn)有的24引腳器件PAL和FPLA
　　應用包括：
　　- 排序
　　- 狀態(tài)機控制
　　- 多PLD器件集成
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