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GAL16LV8的特性如下
· 高性能E2CMOS®技術(shù)
  - 3.5 ns的最大傳輸延遲
  - 250兆赫的Fmax=
  - 3.0 ns的最大時(shí)鐘輸入到數(shù)據(jù)輸出
  - UltraMOS®技術(shù)先進(jìn)的CMOS
· 50％至75％，減少權(quán)力從兩極
  - 對(duì)低功率器件75mA的典型電流Icc
  -上一季度電力設(shè)備四五毫安典型電流Icc
· 主動(dòng)上拉對(duì)所有引腳
· E2的電池技術(shù)
  - 可重構(gòu)邏輯
  - 細(xì)胞重新編程
  - 100％Tested/100％的產(chǎn)率
  - 高速電擦除“（<100毫秒）
  - 20年的數(shù)據(jù)保存
· 八個(gè)輸出邏輯宏單元
  - 最大的復(fù)雜邏輯設(shè)計(jì)的靈活性
  - 可編程輸出極性
  - 兼C仿真20針PAL制式®器件具有完全功能/熔絲圖/參數(shù)兼容性
· 預(yù)載和上電復(fù)位所有寄存器
  - 100％的功能可測性
· 應(yīng)用程序包括：
  - DMA控制
  - 狀態(tài)機(jī)控制
  - 高速圖形處理
  - 標(biāo)準(zhǔn)邏輯速度升級(jí)
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