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針對GAL16V8芯片解密等LATTICE PLD解密，我司芯片解密中心已取得重大突破，可提供價格優(yōu)惠的GAL16V8芯片解密等LATTICE PLD芯片解密、Lattice FPGA芯片解密及其他Lattice芯片解密服務(wù)。 
GAL16V8的器件包括：GAL16V8A, GAL16V8B, GAL16V8C(GAL16V8C-5LP, AL16V8C-7LP), GAL16V8D(GAL16V8D-7LP, GAL16V8D-7LPN, GAL16V8D10LP, GAL16V8D-10LPN, GAL16V8D-15LP, GAL16V8D-15LPN, GAL16V8D-25LP, GAL16V8D-25LPN , GAL16V8D-7LPI, GAL16V8D-7LPNI, GAL16V8D-10LPI, GAL16V8D-10LPNI, GAL16V8D-15LPI, GAL16V8D-15LPNI, GAL16V8D-25LPI, GAL16V8D-25LPNI, GAL16V8D-10QP, GAL16V8D-10QP N, GAL16V8D-15QP, GAL16V8D-15QP N, GAL16V8D-25QP, GAL16V8D-25QP N, GAL16V8D-20QPI, GAL16V8D-20QP NI, GAL16V8D-25QPI, GAL16V8D-25QP NI, GAL16V8D-3LJ, GAL16V8D-LJN, GAL16V8D—5LJ, GAL16V8D—5LJN)。
 
在3.5納秒GAL16V8，最大傳輸延遲時間，結(jié)合一種高性能的CMOS工藝與電可擦除（E2）的浮動門技術(shù)，提供最高速度表現(xiàn)在PLD市場。高速擦除時間“（<100毫秒）允許器件重新編程速度和效率。通用的架構(gòu)提供了最大的設(shè)計靈活性使輸出邏輯宏單元（OLMC）來進行配置用戶。許多建筑的一個重要子集配置與GAL16V8可能是PAL制式架構(gòu)上市在宏的描述節(jié)表。 GAL16V8器件這些都是PAL制式模擬架構(gòu)與任何有能力充分功能/熔絲圖/參數(shù)的兼容性。獨特的測試電路和可重復(fù)編程的細胞允許完整的交流，直流電，在制造過程中的功能測試。因此，格安森美半導(dǎo)體提供100％的現(xiàn)場可編程和功能所有GAL產(chǎn)品。此外，100擦除/寫周期，數(shù)據(jù)保存20年以上指定。
GAL16V8 PLD器件的特性：
•高性能E2CMOS ®技術(shù)
- 3.5 ns的最大傳輸延遲
- 250兆赫的Fmax =
- 3.0 ns的最大時鐘輸入到數(shù)據(jù)輸出
- UltraMOS ®技術(shù)先進的CMOS
•50％至75％，減少權(quán)力從兩極
- 對低功率器件75mA的典型電流Icc
- 上一季度電力設(shè)備四五毫安典型電流Icc
•主動上拉對所有引腳
•E2的電池技術(shù)
- 可重構(gòu)邏輯
- 細胞重新編程
- 100％Tested/100％的產(chǎn)率
- 高速電擦除“（<100毫秒）
- 20年的數(shù)據(jù)保存
•八個輸出邏輯宏單元
- 最大的復(fù)雜邏輯設(shè)計的靈活性
- 可編程輸出極性
- 兼C仿真20針PAL制式®器件具有完全功能/熔絲圖/參數(shù)兼容性
•預(yù)載和上電復(fù)位所有寄存器
- 100％的功能可測性
•應(yīng)用程序包括：
- DMA控制
- 狀態(tài)機控制
- 高速圖形處理
- 標準邏輯速度升級
•電子簽名鑒定
•無鉛封裝選擇
基于GAL16V8的以上特性，我們目前已經(jīng)成功完成GAL16V8芯片解密，更多可解密LATTICE PLD芯片解密型號不斷更新中，如果您有IC解密需求，歡迎來電來訪咨詢洽談